
IMT65R075M2HXUMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMT65R075M2HXUMA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IMT65R075M2HXUMA1 |
Descrizione | SICFET N-CH 650V 33.7A HSOF-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 61 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 33,7A (Tc) 178W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5,6V a 2,4mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 14.9 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (max) +25V, -10V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 516 pF @ 400 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 178W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-HSOF-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 20V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 95mOhm @ 11.9A, 18V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.70000 | Fr. 4.70 |
| 10 | Fr. 3.13700 | Fr. 31.37 |
| 100 | Fr. 2.25160 | Fr. 225.16 |
| 500 | Fr. 1.87426 | Fr. 937.13 |
| 1’000 | Fr. 1.75312 | Fr. 1’753.12 |
| 2’000 | Fr. 1.67485 | Fr. 3’349.70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 4.70000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 5.08070 |


