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Canale N 650 V 33,7A (Tc) 178W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8
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IMT65R075M2HXUMA1

Codice DigiKey
448-IMT65R075M2HXUMA1-ND
Produttore
Codice produttore
IMT65R075M2HXUMA1
Descrizione
SICFET N-CH 650V 33.7A HSOF-8
Tempi di consegna standard del produttore
61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 33,7A (Tc) 178W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
5,6V a 2,4mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
14.9 nC @ 18 V
Serie
Vgs (max)
+25V, -10V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
516 pF @ 400 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
178W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Contenitore del fornitore
PG-HSOF-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 20V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
95mOhm @ 11.9A, 18V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
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Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 4.70000Fr. 4.70
10Fr. 3.13700Fr. 31.37
100Fr. 2.25160Fr. 225.16
500Fr. 1.87426Fr. 937.13
1’000Fr. 1.75312Fr. 1’753.12
2’000Fr. 1.67485Fr. 3’349.70
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 4.70000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 5.08070