
IMT65R50M2HXUMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMT65R50M2HXUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMT65R50M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMT65R50M2HXUMA1 |
Descrizione | SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF |
Tempi di consegna standard del produttore | 13 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 48,1A (Tc) 237W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IMT65R50M2HXUMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 15V, 18V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 62mohm a 18,2A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 5,6V a 3,7mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 22 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +25V, -10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 790 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 237W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-HSOF-8-2 | |
Contenitore/involucro |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 6.02000 | Fr. 6.02 |
10 | Fr. 4.65700 | Fr. 46.57 |
25 | Fr. 4.31440 | Fr. 107.86 |
100 | Fr. 3.93820 | Fr. 393.82 |
250 | Fr. 3.75884 | Fr. 939.71 |
500 | Fr. 3.65074 | Fr. 1’825.37 |
1’000 | Fr. 3.56174 | Fr. 3’561.74 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’000 | Fr. 3.48847 | Fr. 6’976.94 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 6.02000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 6.50762 |