Nuovo prodotto
PG-HSOF-8-2
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IMT65R50M2HXUMA1

Codice DigiKey
448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IMT65R50M2HXUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IMT65R50M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IMT65R50M2HXUMA1
Descrizione
SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
Tempi di consegna standard del produttore
13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 48,1A (Tc) 237W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-2
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IMT65R50M2HXUMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs
62mohm a 18,2A, 18V
Vgs(th) max a Id
5,6V a 3,7mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
22 nC @ 18 V
Vgs (max)
+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
790 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
237W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-HSOF-8-2
Contenitore/involucro
Product Questions and Answers

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In magazzino: 2’000
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 6.02000Fr. 6.02
10Fr. 4.65700Fr. 46.57
25Fr. 4.31440Fr. 107.86
100Fr. 3.93820Fr. 393.82
250Fr. 3.75884Fr. 939.71
500Fr. 3.65074Fr. 1’825.37
1’000Fr. 3.56174Fr. 3’561.74
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’000Fr. 3.48847Fr. 6’976.94
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 6.02000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 6.50762