Name: IMTA65R020M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMTA65R020M2HXTMA1TR-ND
Price: 10.96134 CHF
Availability: InStock

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IMTA65R020M2HXTMA1
Codice DigiKey	448-IMTA65R020M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMTA65R020M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMTA65R020M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMTA65R020M2HXTMA1
Descrizione	SILICON CARBIDE MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 77 A (Tc) 416W (Tc)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IMTA65R020M2HXTMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	77 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V, 20V
RDSon (max) a Id, Vgs	18mohm a 46,9A, 20V
Vgs(th) max a Id	5,6V a 9,5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	57 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2038 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	416W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	-
Contenitore del fornitore	-
Contenitore/involucro	-

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 10.14000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 10.96134

IMTA65R020M2HXTMA1