Name: IMTA65R033M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMTA65R033M2HXTMA1TR-ND
Price: 8.20479 CHF
Availability: InStock

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IMTA65R033M2HXTMA1
Codice DigiKey	448-IMTA65R033M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMTA65R033M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMTA65R033M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMTA65R033M2HXTMA1
Descrizione	SILICON CARBIDE MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 68 A (Tc) 315W (Tc) A montaggio superficiale PG-LHSOF-4-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 30mohm a 27,9A, 20V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 5,6V a 5,7mA
Serie CoolSiC™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 34 nC @ 18 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +23V, -7V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1214 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 315W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 68 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-LHSOF-4-1
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 20V	Contenitore/involucro 4-PowerLSFN