Name: IMW120R220M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IMW120R220M1HXKSA1-ND
Price: 6.99407 CHF
Availability: OutOfStock

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MSC180SMA120B

Microchip Technology

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Canale N 1200 V 13 A (Tc) 75W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-41

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IMW120R220M1HXKSA1
Codice DigiKey	IMW120R220M1HXKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMW120R220M1HXKSA1
Descrizione	SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Tempi di consegna standard del produttore	54 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 13 A (Tc) 75W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-41
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IMW120R220M1HXKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5,7V a 1,6mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8.5 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (max) +23V, -7V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 289 pF @ 800 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Contenitore del fornitore PG-TO247-3-41
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-247-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 18V	Codice componente base IMW120
RDSon (max) a Id, Vgs 286mohm a 4A, 18V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
MSC180SMA120B	Microchip Technology	134	691-MSC180SMA120B-ND	Fr. 6.77000	Simile

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 6.47000	Fr. 6.47
30	Fr. 3.69933	Fr. 110.98
120	Fr. 3.09008	Fr. 370.81
510	Fr. 2.64359	Fr. 1’348.23
1’020	Fr. 2.48071	Fr. 2’530.32
2’010	Fr. 2.34653	Fr. 4’716.53

Contenitore standard del produttore

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