Name: IMW65R027M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R027M1HXKSA1-ND
Price: 12.18287 CHF
Availability: InStock

Canale N 650 V 47 A (Tc) 189W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-41

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IMW65R027M1HXKSA1
Codice DigiKey	448-IMW65R027M1HXKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMW65R027M1HXKSA1
Descrizione	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 47 A (Tc) 189W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-41
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IMW65R027M1HXKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5,7V a 11mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 62 nC @ 18 V
Serie CoolSIC™ M1	Vgs (max) +23V, -5V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2131 pF @ 400 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 189W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore PG-TO247-3-41
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 47 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-247-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V	Codice componente base IMW65R027
RDSon (max) a Id, Vgs 34mohm a 38,3A, 18V

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
MSC015SMA070B	Microchip Technology	101	691-MSC015SMA070B-ND	Fr. 13.93000	Simile
TSM60NE048PW C0G	Taiwan Semiconductor Corporation	300	1801-TSM60NE048PWC0G-ND	Fr. 12.10000	Simile
TSM60NE069PW C0G	Taiwan Semiconductor Corporation	295	1801-TSM60NE069PWC0G-ND	Fr. 9.55000	Simile

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 11.27000	Fr. 11.27
30	Fr. 6.84600	Fr. 205.38
120	Fr. 5.87533	Fr. 705.04
510	Fr. 5.31814	Fr. 2’712.25

Contenitore standard del produttore

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