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IMW65R030M1HXKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMW65R030M1HXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IMW65R030M1HXKSA1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 58 A (Tc) 197W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-41 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IMW65R030M1HXKSA1 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 18V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 42mohm a 29,5A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 5,7V a 8,8mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 48 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +20V, -2V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1643 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 197W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | Foro passante | |
Contenitore del fornitore | PG-TO247-3-41 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 80
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 9.39000 | Fr. 9.39 |
| 30 | Fr. 5.65000 | Fr. 169.50 |
| 120 | Fr. 4.82883 | Fr. 579.46 |
| 510 | Fr. 4.77825 | Fr. 2’436.91 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 9.39000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 10.15059 |
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