Name: IMYR140R019M2HXLSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMYR140R019M2HXLSA1-ND
Price: 14.8097 CHF
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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IMYR140R019M2HXLSA1
Codice DigiKey	448-IMYR140R019M2HXLSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMYR140R019M2HXLSA1
Descrizione	SIC DISCRETE
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1.4 kV 100 A (Tc) 385W (Tc) Foro passante PG-TO247-4-18
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1.4 kV
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs	19mOhm @ 40.4A, 18V
Vgs(th) max a Id	5,1V a 12,7mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	90 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2860 pF @ 1000 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	385W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO247-4-18
Contenitore/involucro	TO-247-4

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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30	Fr. 8.48867	Fr. 254.66
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