Name: IMZ120R350M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IMZ120R350M1HXKSA1-ND
Price: 5.27528 CHF
Availability: InStock

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IMZ120R350M1HXKSA1
Codice DigiKey	IMZ120R350M1HXKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMZ120R350M1HXKSA1
Descrizione	SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 4,7 A (Tc) 60W (Tc) Foro passante PG-TO247-4-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IMZ120R350M1HXKSA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,7 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs	350mohm a 2A, 18V
Vgs(th) max a Id	5,7V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5.3 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	182 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	60W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO247-4-1
Contenitore/involucro	TO-247-4
Codice componente base	IMZ120

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 4.88000	Fr. 4.88
30	Fr. 2.77967	Fr. 83.39
120	Fr. 2.31717	Fr. 278.06
510	Fr. 1.99271	Fr. 1’016.28

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