Name: IMZA120R030M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA120R030M1HXKSA1-ND
Price: 13.46926 CHF
Availability: InStock

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IMZA120R030M1HXKSA1
Codice DigiKey	448-IMZA120R030M1HXKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMZA120R030M1HXKSA1
Descrizione	SIC DISCRETE
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 70 A (Tc) 273W (Tc) Foro passante PG-TO247-4-U02
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	70 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs	40,9mohm a 25,6A, 18V
Vgs(th) max a Id	5,2V a 11mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	68 nC @ 18 V
Vgs (max)	+20V, -7V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2160 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	273W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO247-4-U02
Contenitore/involucro	TO-247-4

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 12.46000	Fr. 12.46
30	Fr. 7.65600	Fr. 229.68
120	Fr. 6.60500	Fr. 792.60
510	Fr. 6.55229	Fr. 3’341.67

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