Canale N 650 V 59 A (Tc) 189W (Tc) Foro passante PG-TO247-4-3
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IMZA65R027M1HXKSA1

Codice DigiKey
448-IMZA65R027M1HXKSA1-ND
Produttore
Codice produttore
IMZA65R027M1HXKSA1
Descrizione
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 59 A (Tc) 189W (Tc) Foro passante PG-TO247-4-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IMZA65R027M1HXKSA1 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
5,7V a 11mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
63 nC @ 18 V
Serie
Vgs (max)
+23V, -5V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2131 pF @ 400 V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Dissipazione di potenza (max)
189W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
Foro passante
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Contenitore del fornitore
PG-TO247-4-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
18V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
34mohm a 38,3A, 18V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
MSC015SMA070B4Microchip Technology34150-MSC015SMA070B4-NDFr. 16.56000Simile
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 13.48000Fr. 13.48
30Fr. 8.19800Fr. 245.94
120Fr. 7.04175Fr. 845.01
510Fr. 6.19545Fr. 3’159.68
1’020Fr. 5.88689Fr. 6’004.63
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 13.48000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 14.57188