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IMZA75R008M1HXKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IMZA75R008M1HXKSA1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 750 V 163 A (Tc) 517W (Tc) Foro passante PG-TO247-4-U02 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IMZA75R008M1HXKSA1 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 750 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 15V, 20V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 7,2mohm a 90,3A, 20V | |
Vgs(th) max a Id | 5,6V a 32,4mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 178 nC @ 500 V | |
Vgs (max) | +23V, -5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 6137 pF @ 500 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 517W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | Foro passante | |
Contenitore del fornitore | PG-TO247-4-U02 | |
Contenitore/involucro |
In magazzino: 154
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 26.02000 | Fr. 26.02 |
| 30 | Fr. 17.37933 | Fr. 521.38 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 26.02000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 28.12762 |
Svizzera