Name: IMZA75R016M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA75R016M1HXKSA1-ND
Price: 16.38796 CHF
Availability: InStock

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IMZA75R016M1HXKSA1
Codice DigiKey	448-IMZA75R016M1HXKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMZA75R016M1HXKSA1
Descrizione	SILICON CARBIDE MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 750 V 89A (Tj) 319W (Tc) Foro passante PG-TO247-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	750 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	89A (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V, 20V
RDSon (max) a Id, Vgs	15mohm a 41,5A, 20V
Vgs(th) max a Id	5,6V a 14,9mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	81 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2869 pF @ 500 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	319W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO247-4
Contenitore/involucro	TO-247-4
Codice componente base	IMZA75R016

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 15.16000	Fr. 15.16
30	Fr. 9.50500	Fr. 285.15
120	Fr. 8.77042	Fr. 1’052.45

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