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IMZA75R016M1HXKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMZA75R016M1HXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IMZA75R016M1HXKSA1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE MOSFET |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 750 V 89A (Tj) 319W (Tc) Foro passante PG-TO247-4 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 5,6V a 14,9mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 81 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (max) +23V, -5V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2869 pF @ 500 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 319W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 750 V | Contenitore del fornitore PG-TO247-4 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 20V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 15mohm a 41,5A, 20V |
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Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 16.80000 | Fr. 16.80 |
| 30 | Fr. 10.56333 | Fr. 316.90 |
| 120 | Fr. 9.19908 | Fr. 1’103.89 |
| 510 | Fr. 8.88888 | Fr. 4’533.33 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 16.80000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 18.16080 |
