Canale N 1200 V 69 A (Tc) 289W (Tc) Foro passante PG-TO247-4-17
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Canale N 1200 V 69 A (Tc) 289W (Tc) Foro passante PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R026M2HXKSA1

Codice DigiKey
448-IMZC120R026M2HXKSA1-ND
Produttore
Codice produttore
IMZC120R026M2HXKSA1
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 69A TO247
Tempi di consegna standard del produttore
69 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 69 A (Tc) 289W (Tc) Foro passante PG-TO247-4-17
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IMZC120R026M2HXKSA1 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
25mohm a 27A, 18V
Produttore
Vgs(th) max a Id
5.1V @ 8.6mA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
60 nC @ 18 V
Confezionamento
Tubo
Vgs (max)
+23V, -7V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1990 pF @ 800 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
289W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
PG-TO247-4-17
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 18V
Contenitore/involucro
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 11.64000Fr. 11.64
30Fr. 7.08800Fr. 212.64
120Fr. 6.09033Fr. 730.84
510Fr. 5.54337Fr. 2’827.12
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 11.64000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 12.58284