448~P/PG-TO247-4-17~~4
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
448~P/PG-TO247-4-17~~4
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R053M2HXKSA1

Codice DigiKey
448-IMZC120R053M2HXKSA1-ND
Produttore
Codice produttore
IMZC120R053M2HXKSA1
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 38A TO247
Tempi di consegna standard del produttore
26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 38 A (Tc) 182W (Tc) Foro passante PG-TO247-4-17
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IMZC120R053M2HXKSA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs
53mohm a 13A, 18V
Vgs(th) max a Id
5,1V a 4,1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
30 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -7V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1010 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
182W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
PG-TO247-4-17
Contenitore/involucro
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

In magazzino: 366
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 7.46000Fr. 7.46
30Fr. 4.39833Fr. 131.95
120Fr. 3.72650Fr. 447.18
510Fr. 3.49510Fr. 1’782.50
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 7.46000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 8.06426