IPA60R800CEXKSA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IPA60R800CEXKSA1
Codice DigiKey	IPA60R800CEXKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPA60R800CEXKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 5.6A TO220-FP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 5,6 A (Tc) 27W (Tc) Foro passante PG-TO220-FP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CE
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,6 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	800mohm a 2A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 170µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	17.2 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	373 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	27W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO220-FP
Contenitore/involucro	TO-220-3 Full Pack
Codice componente base	IPA60R