IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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IPA80R1K2P7XKSA1
Codice DigiKey	IPA80R1K2P7XKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPA80R1K2P7XKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 4,5 A (Tc) 25W (Tc) Foro passante PG-TO220-3-FP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPA80R1K2P7XKSA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,2ohm a 1,7A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 80µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	300 pF @ 500 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	25W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO220-3-FP
Contenitore/involucro	TO-220-3 Full Pack
Codice componente base	IPA80R1

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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50	Fr. 0.68380	Fr. 34.19
100	Fr. 0.61110	Fr. 61.11

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