IPAN50R500CEXKSA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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IPAN50R500CEXKSA1
Codice DigiKey	IPAN50R500CEXKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPAN50R500CEXKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 500 V 11,1 A (Tc) 28W (Tc) Foro passante PG-TO220-FP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPAN50R500CEXKSA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	11,1 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	13V
RDSon (max) a Id, Vgs	500mohm a 2,3A, 13V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 200µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	18.7 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	433 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	28W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO220-FP
Contenitore/involucro	TO-220-3 Full Pack
Codice componente base	IPAN50

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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50	Fr. 0.55800	Fr. 27.90
100	Fr. 0.49700	Fr. 49.70

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