Name: IPAN65R650CEXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPAN65R650CEXKSA1-ND
Price: 1.4053 CHF
Availability: InStock

Canale N 650 V 10,1 A (Tc) 28W (Tc) Foro passante PG-TO220-FP

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IPAN65R650CEXKSA1
Codice DigiKey	IPAN65R650CEXKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPAN65R650CEXKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 10,1 A (Tc) 28W (Tc) Foro passante PG-TO220-FP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPAN65R650CEXKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 210µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 23 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 440 pF @ 100 V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 28W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore PG-TO220-FP
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10,1 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-220-3 Full Pack
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPAN65
RDSon (max) a Id, Vgs 650mohm a 2,1A, 10V

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Sostituti (5)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPAN70R600P7SXKSA1	Infineon Technologies	500	IPAN70R600P7SXKSA1-ND	Fr. 1.24000	Consigliato dal produttore
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