IPB011N04NGATMA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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IPB011N04NGATMA1
Codice DigiKey	IPB011N04NGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB011N04NGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB011N04NGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB011N04NGATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 180 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB011N04NGATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	180 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,1mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 200µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	250 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	20000 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	250W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-7-3
Contenitore/involucro	TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)
Codice componente base	IPB011