Name: IPB016N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB016N06L3GATMA1TR-ND
Price: 4.05375 CHF
Availability: InStock

IPB016N06L3GATMA1
Codice DigiKey	IPB016N06L3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB016N06L3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB016N06L3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB016N06L3GATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 180 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB016N06L3GATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	180 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,6mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,2V a 196µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	166 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	28000 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	250W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-7
Contenitore/involucro	TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)
Codice componente base	IPB016

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’000	Fr. 1.36042	Fr. 1’360.42
2’000	Fr. 1.35222	Fr. 2’704.44

IPB016N06L3GATMA1

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.75000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.05375