
IPB019N08N3GATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPB019N08N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB019N08N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB019N08N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB019N08N3GATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7 |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 180 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB019N08N3GATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,9mohm a 100A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 270µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 206 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 14200 pF @ 40 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-7 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 3.30000 | Fr. 3.30 |
10 | Fr. 2.72600 | Fr. 27.26 |
100 | Fr. 2.63410 | Fr. 263.41 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1’000 | Fr. 2.15200 | Fr. 2’152.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.30000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.56730 |