


IPB024N08N5ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPB024N08N5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPB024N08N5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPB024N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB024N08N5ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 120 A (Tc) 214W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB024N08N5ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Data di acquisto finale | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 2,4mohm a 100A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,8V a 154µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 123 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 8970 pF @ 40 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 214W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.84000 | Fr. 3.84 |
| 10 | Fr. 2.54600 | Fr. 25.46 |
| 100 | Fr. 1.80950 | Fr. 180.95 |
| 500 | Fr. 1.69842 | Fr. 849.21 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 1.38760 | Fr. 1’387.60 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.84000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.15104 |









