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IPB049N08N5ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPB049N08N5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPB049N08N5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPB049N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB049N08N5ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 80 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB049N08N5ATMA1 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,8V a 66µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 53 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3770 pF @ 40 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 80 V | Contenitore del fornitore PG-TO263-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 4,9mohm a 80 A, 10V |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB042N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | 18’458 | IPB042N10N3GATMA1CT-ND | Fr. 2.63000 | Simile |
In magazzino: 8
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Nastro pre-tagliato (CT)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.04000 | Fr. 3.04 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.04000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.28624 |
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