Canale N 75 V 80 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
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Canale N 75 V 80 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB049NE7N3GATMA1

Codice DigiKey
IPB049NE7N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IPB049NE7N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
IPB049NE7N3GATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 75 V 80 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPB049NE7N3GATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
3,8V a 91µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
68 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4750 pF @ 37.5 V
Stato componente
Obsoleto
Dissipazione di potenza (max)
150W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
75 V
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
4,9mohm a 80 A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (10)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IRF2907ZSTRLPBFInfineon Technologies8’966IRF2907ZSTRLPBFCT-NDFr. 3.80000Simile
IRFS3207TRLPBFInfineon Technologies5’386IRFS3207TRLPBFCT-NDFr. 3.52000Simile
IRFS3607TRLPBFInfineon Technologies0IRFS3607TRLPBFCT-NDFr. 1.74000Simile
FDB045AN08A0onsemi294FDB045AN08A0CT-NDFr. 3.93000Simile
FDB060AN08A0onsemi2’417FDB060AN08A0CT-NDFr. 3.95000Simile
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