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IPB054N06N3GATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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IPB054N06N3GATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB054N06N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB054N06N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB054N06N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB054N06N3GATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 80 A (Tc) 115W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB054N06N3GATMA1 Modelli |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 58µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 82 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6600 pF @ 30 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 115W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Contenitore del fornitore PG-TO263-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 5,4mohm a 80A, 10V |
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| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB057N06NATMA1 | Infineon Technologies | 2’999 | IPB057N06NATMA1CT-ND | Fr. 1.84000 | Consigliato dal produttore |
| IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies | 1’681 | IRF1405STRLPBFCT-ND | Fr. 2.81000 | Simile |
| IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | 4’387 | IRF3205ZSTRLPBFCT-ND | Fr. 2.16000 | Simile |
| FDB050AN06A0 | onsemi | 1’431 | FDB050AN06A0CT-ND | Fr. 2.78000 | Diretto |
| BUK766R0-60E,118 | Nexperia USA Inc. | 1’036 | 1727-BUK766R0-60E,118CT-ND | Fr. 2.52000 | Simile |
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