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IPB065N10N3GATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB065N10N3GATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPB065N10N3GATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 80 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 90µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 64 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4910 pF @ 50 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore PG-TO263-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 6,5mohm a 80A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTA160N10T | IXYS | 0 | IXTA160N10T-ND | Fr. 2.41143 | Simile |
| IXTA160N10T7 | IXYS | 0 | IXTA160N10T7-ND | Fr. 2.50070 | Simile |
| IXTA180N10T | IXYS | 0 | IXTA180N10T-ND | Fr. 5.66000 | Simile |
| PSMN6R5-80BS,118 | Nexperia USA Inc. | 2’362 | 1727-7213-1-ND | Fr. 2.60000 | Simile |












