Name: IPB068N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB068N20NM6ATMA1TR-ND
Price: 7.22108 CHF
Availability: InStock

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IPB068N20NM6ATMA1
Codice DigiKey	448-IPB068N20NM6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPB068N20NM6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPB068N20NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB068N20NM6ATMA1
Descrizione	TRENCH >=100V
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 15,4A (Ta), 134A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 6,3mohm a 100A, 15V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 4,5V a 258µA
Serie OptiMOS™ 6	Carica del gate (Qg) max a Vgs 110 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7400 pF @ 100 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 300W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 15,4A (Ta), 134A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO263-3-2
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V, 15V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB