


IPB081N06L3GATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB081N06L3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB081N06L3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB081N06L3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB081N06L3GATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 14 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 50 A (Tc) 79W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB081N06L3GATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 8,1mohm a 50A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 34µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 29 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4900 pF @ 30 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.61000 | Fr. 1.61 |
| 10 | Fr. 1.02600 | Fr. 10.26 |
| 100 | Fr. 0.69340 | Fr. 69.34 |
| 500 | Fr. 0.55084 | Fr. 275.42 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 0.48982 | Fr. 489.82 |
| 2’000 | Fr. 0.45241 | Fr. 904.82 |
| 3’000 | Fr. 0.43335 | Fr. 1’300.05 |
| 5’000 | Fr. 0.42300 | Fr. 2’115.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.61000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.74041 |










