


IPB110N20N3LFATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPB110N20N3LFATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB110N20N3LFATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB110N20N3LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB110N20N3LFATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 200 V 88 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB110N20N3LFATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 200 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 11mohm a 88A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4,2V a 260µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 76 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 650 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 5.96000 | Fr. 5.96 |
10 | Fr. 4.03500 | Fr. 40.35 |
100 | Fr. 3.05240 | Fr. 305.24 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1’000 | Fr. 2.66559 | Fr. 2’665.59 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 5.96000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 6.44276 |