PG-TO263-3
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PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB123N10N3GATMA1

Codice DigiKey
IPB123N10N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IPB123N10N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IPB123N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IPB123N10N3GATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 58 A (Tc) 94W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPB123N10N3GATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
12,3mohm a 46A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 46µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2500 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
94W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.72000Fr. 1.72
10Fr. 1.10400Fr. 11.04
100Fr. 0.74980Fr. 74.98
500Fr. 0.59830Fr. 299.15
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 0.54958Fr. 549.58
2’000Fr. 0.50861Fr. 1’017.22
3’000Fr. 0.48775Fr. 1’463.25
5’000Fr. 0.48510Fr. 2’425.50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.72000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.85932