


IPB123N10N3GATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB123N10N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB123N10N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB123N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB123N10N3GATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 58 A (Tc) 94W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB123N10N3GATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 12,3mohm a 46A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 46µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 35 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2500 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 94W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.72000 | Fr. 1.72 |
| 10 | Fr. 1.10400 | Fr. 11.04 |
| 100 | Fr. 0.74980 | Fr. 74.98 |
| 500 | Fr. 0.59830 | Fr. 299.15 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 0.54958 | Fr. 549.58 |
| 2’000 | Fr. 0.50861 | Fr. 1’017.22 |
| 3’000 | Fr. 0.48775 | Fr. 1’463.25 |
| 5’000 | Fr. 0.48510 | Fr. 2’425.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.72000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.85932 |










