PG-TO263-7-3
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IPB180N04S4LH0ATMA1

Codice DigiKey
IPB180N04S4LH0ATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IPB180N04S4LH0ATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore
9 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 180 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPB180N04S4LH0ATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 180µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
310 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
24440 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
250W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-7-3
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 1.10600Fr. 1’106.00
2’000Fr. 1.10040Fr. 2’200.80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.10600
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.19559