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IPB200N15N3GATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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IPB200N15N3GATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB200N15N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB200N15N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB200N15N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB200N15N3GATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 150 V 50 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB200N15N3GATMA1 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 150 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 8V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 20mohm a 50A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 90µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 31 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1820 pF @ 75 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Obsoleto
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