IPB200N15N3GATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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Canale N 150 V 50 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
Canale N 150 V 50 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB200N15N3GATMA1

Codice DigiKey
IPB200N15N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IPB200N15N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IPB200N15N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IPB200N15N3GATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 150 V 50 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPB200N15N3GATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 90µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
31 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1820 pF @ 75 V
Stato componente
Obsoleto
Dissipazione di potenza (max)
150W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
150 V
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
8V, 10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
20mohm a 50A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (3)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IRFS4321TRLPBFInfineon Technologies25’743IRFS4321TRLPBFCT-NDFr. 3.44000Consigliato dal produttore
BUK7626-100B,118Nexperia USA Inc.281727-4705-1-NDFr. 1.79000Simile
IXTA102N15TIXYS796IXTA102N15T-NDFr. 4.78000Simile
Obsoleto
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