Name: IPB320P10LMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB320P10LMATMA1TR-ND
Price: 5.25366 CHF
Availability: InStock

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IPB320P10LMATMA1
Codice DigiKey	448-IPB320P10LMATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPB320P10LMATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPB320P10LMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB320P10LMATMA1
Descrizione	TRENCH >=100V PG-TO263-3
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 6,5A (Ta), 63A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB320P10LMATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 5,55mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 219 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11000 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 300W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,5A (Ta), 63A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base IPB320P
RDSon (max) a Id, Vgs 32mohm a 54A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.86000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 5.25366

IPB320P10LMATMA1