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IPB35N10S3L26ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPB35N10S3L26ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPB35N10S3L26ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPB35N10S3L26ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB35N10S3L26ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 35 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 39 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2700 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc) |
Stato componente Non per nuovi progetti | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO263-3 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 26,3mohm a 35A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,4V a 39µA |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTA64N10L2 | IXYS | 1 | IXTA64N10L2-ND | Fr. 12.61000 | Simile |
In magazzino: 7’012
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.24000 | Fr. 2.24 |
| 10 | Fr. 1.45400 | Fr. 14.54 |
| 100 | Fr. 1.00190 | Fr. 100.19 |
| 500 | Fr. 0.83208 | Fr. 416.04 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 0.83208 | Fr. 832.08 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.24000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.42144 |
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