IPB50N12S3L15ATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

IPB50N12S3L15ATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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Prezzo unitario : Fr. 3.38929

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IPB50N12S3L15ATMA1
Codice DigiKey	IPB50N12S3L15ATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB50N12S3L15ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL_100+
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 120 V 50 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 57 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4180 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 120 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 50 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO263-3-2
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 15,7mohm a 50A, 10V	Codice componente base IPB50N12
Vgs(th) max a Id 2,4V a 60µA