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PG-TO263-3-2
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IPB50R199CPATMA1

Codice DigiKey
IPB50R199CPATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IPB50R199CPATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 550V 17A TO263-3
Tempi di consegna standard del produttore
15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 550 V 17 A (Tc) 139W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPB50R199CPATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
550 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
199mohm a 9,9A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 660µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1800 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
139W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3-2
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 0.98000Fr. 980.00
2’000Fr. 0.95430Fr. 1’908.60
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.98000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.05938