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Scheda tecnica
PG-TO263-3
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PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB530N15N3GATMA1

Codice DigiKey
IPB530N15N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IPB530N15N3GATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 150 V 21 A (Tc) 68W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPB530N15N3GATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
150 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
8V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
53mohm a 18A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 35µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
887 pF @ 75 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
68W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Obsoleto
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