Name: IPB60R105CFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB60R105CFD7ATMA1TR-ND
Price: 4.18347 CHF
Availability: InStock

IPB60R105CFD7ATMA1
Codice DigiKey	448-IPB60R105CFD7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPB60R105CFD7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPB60R105CFD7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB60R105CFD7ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 21 A (Tc) 106W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
cms-datasheet	cms-datasheet
Modelli EDA/CAD	IPB60R105CFD7ATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CFD7
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	21 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	105mohm a 9,3A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 470µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1752 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	106W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-3-2
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IPB60R105

Quantità	cms-unit-price	Prezzo tot
1’000	Fr. 1.41138	Fr. 1’411.38
2’000	Fr. 1.41048	Fr. 2’820.96

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.87000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.18347

IPB60R105CFD7ATMA1