


IPB60R120P7ATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPB60R120P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB60R120P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB60R120P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB60R120P7ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 26 A (Tc) 95W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB60R120P7ATMA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 410µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 36 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1544 pF @ 400 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 95W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore PG-TO263-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 120mohm a 8,2A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHB28N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 1’081 | SIHB28N60EF-GE3-ND | Fr. 5.70000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.23000 | Fr. 3.23 |
| 10 | Fr. 2.11300 | Fr. 21.13 |
| 100 | Fr. 1.48210 | Fr. 148.21 |
| 500 | Fr. 1.23312 | Fr. 616.56 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 1.12634 | Fr. 1’126.34 |
| 2’000 | Fr. 1.05364 | Fr. 2’107.28 |
| 3’000 | Fr. 1.01662 | Fr. 3’049.86 |
| 5’000 | Fr. 1.00744 | Fr. 5’037.20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.23000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.49163 |













