


IPB60R160C6ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB60R160C6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB60R160C6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB60R160C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB60R160C6ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 23,8 A (Tc) 176W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB60R160C6ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Non per nuovi progetti | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 600 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 160mohm a 11,3A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 750µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 75 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1660 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 176W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.39000 | Fr. 3.39 |
| 10 | Fr. 2.23200 | Fr. 22.32 |
| 100 | Fr. 1.57420 | Fr. 157.42 |
| 500 | Fr. 1.43356 | Fr. 716.78 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 1.17120 | Fr. 1’171.20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.39000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.66459 |



