IPB60R380P6ATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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In magazzino: 2’450
Prezzo unitario : Fr. 1.52000
Scheda tecnica
PG-TO263-3
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PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB60R380P6ATMA1

Codice DigiKey
IPB60R380P6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IPB60R380P6ATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 10,6 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
380mohm a 3,8A, 10V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 320µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
877 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
83W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3
Contenitore/involucro
Codice componente base
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