IPB60R380P6ATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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In magazzino: 1’888

Prezzo unitario : Fr. 1.74000

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IPB60R380P6ATMA1
Codice DigiKey	IPB60R380P6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB60R380P6ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 10,6 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 320µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 19 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P6	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 877 pF @ 100 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10,6 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPB60R
RDSon (max) a Id, Vgs 380mohm a 3,8A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPB60R360P7ATMA1	Infineon Technologies	1’888	IPB60R360P7ATMA1CT-ND	Fr. 1.74000	Simile

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