
IPB70N10S3L12ATMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IPB70N10S3L12ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPB70N10S3L12ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPB70N10S3L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB70N10S3L12ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 9 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 70 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 11,8mohm a 70A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,4V a 83µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 80 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 5550 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3-2 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.92000 | Fr. 2.92 |
| 10 | Fr. 1.91100 | Fr. 19.11 |
| 100 | Fr. 1.33640 | Fr. 133.64 |
| 500 | Fr. 1.17284 | Fr. 586.42 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 0.95820 | Fr. 958.20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.92000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.15652 |







