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IPB65R095C7ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB65R095C7ATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPB65R095C7ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 24 A (Tc) 128W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 590µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 45 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2140 pF @ 400 V |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Dissipazione di potenza (max) 128W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO263-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 95mohm a 11,8A, 10V |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R080P7ATMA1 | Infineon Technologies | 1’216 | IPB60R080P7ATMA1CT-ND | Fr. 4.19000 | Diretto |
| IPB65R095C7ATMA2 | Infineon Technologies | 2’151 | IPB65R095C7ATMA2CT-ND | Fr. 5.16000 | Diretto |
In magazzino: 0
