Name: IPB65R110CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R110CFDAATMA1TR-ND
Price: 5.81578 CHF
Availability: InStock

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IPB65R110CFDAATMA1
Codice DigiKey	IPB65R110CFDAATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB65R110CFDAATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB65R110CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB65R110CFDAATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB65R110CFDAATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 118 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie CoolMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3240 pF @ 100 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 277,8W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 31,2 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 110mohm a 12,7 A, 10V	Codice componente base IPB65R110
Vgs(th) max a Id 4,5V a 1,3mA