Name: IPB65R110CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R110CFDAATMA1TR-ND
Price: 5.2969 CHF
Availability: InStock

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IPB65R110CFDAATMA1
Codice DigiKey	IPB65R110CFDAATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB65R110CFDAATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB65R110CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB65R110CFDAATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB65R110CFDAATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	31,2 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	110mohm a 12,7 A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 1,3mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	118 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3240 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	277,8W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-3
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IPB65R110

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.90000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 5.29690

IPB65R110CFDAATMA1