IPB65R125C7ATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IPB60R080P7ATMA1

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Canale N 650 V 18 A (Ta) 101W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3

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IPB65R125C7ATMA1
Codice DigiKey	IPB65R125C7ATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB65R125C7ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 18 A (Ta) 101W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 440µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 35 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ C7	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1670 pF @ 400 V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Dissipazione di potenza (max) 101W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPB65R
RDSon (max) a Id, Vgs 125mohm a 8,9A, 10V

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPB60R080P7ATMA1	Infineon Technologies	1’216	IPB60R080P7ATMA1CT-ND	Fr. 4.89000	Diretto
STB33N60M2	STMicroelectronics	1’060	497-14973-1-ND	Fr. 3.99000	Simile
STB37N60DM2AG	STMicroelectronics	1’115	497-16105-1-ND	Fr. 6.42000	Simile

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