Name: IPB65R150CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R150CFDAATMA1TR-ND
Price: 4.24833 CHF
Availability: InStock

Canale N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3

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IPB65R150CFDAATMA1
Codice DigiKey	448-IPB65R150CFDAATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPB65R150CFDAATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPB65R150CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB65R150CFDAATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB65R150CFDAATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 86 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie CoolMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2340 pF @ 100 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 195,3W (Tc)
Stato componente Data di acquisto finale	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 22,4 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 150mohm a 9,3A, 10V	Codice componente base IPB65R150
Vgs(th) max a Id 4,5V a 900µA

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPB65R145CFD7AATMA1	Infineon Technologies	673	448-IPB65R145CFD7AATMA1CT-ND	Fr. 3.97000	Consigliato dal produttore
R6020ENJTL	Rohm Semiconductor	2’478	R6020ENJTLCT-ND	Fr. 3.15000	Simile
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STB28NM60ND	STMicroelectronics	1’427	497-14238-1-ND	Fr. 5.82000	Simile

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