


IPB65R190C7ATMA2 | |
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Codice DigiKey | IPB65R190C7ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB65R190C7ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB65R190C7ATMA2DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB65R190C7ATMA2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 13 A (Tc) 72W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB65R190C7ATMA2 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 190mohm a 5,7A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 290µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1150 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 72W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 2.59000 | Fr. 2.59 |
10 | Fr. 1.71300 | Fr. 17.13 |
100 | Fr. 1.19020 | Fr. 119.02 |
500 | Fr. 1.01678 | Fr. 508.39 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1’000 | Fr. 0.86814 | Fr. 868.14 |
2’000 | Fr. 0.83070 | Fr. 1’661.40 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.59000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.79979 |