Equivalente parametrico

IPB70N10S312ATMA2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPB70N10S312ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPB70N10S312ATMA2 |
Descrizione | MOSFET_(75V 120V( |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 70 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB70N10S312ATMA2 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 66 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4355 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore del fornitore PG-TO263-3-2 |
RDSon (max) a Id, Vgs 11,6mohm a 70A, 10V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 4V a 83µA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB70N10S312ATMA1 | Infineon Technologies | 1’917 | IPB70N10S312ATMA1CT-ND | Fr. 3.60000 | Equivalente parametrico |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 1.17890 | Fr. 1’178.90 |
| 2’000 | Fr. 1.10189 | Fr. 2’203.78 |
| 3’000 | Fr. 1.06265 | Fr. 3’187.95 |
| 5’000 | Fr. 1.01860 | Fr. 5’093.00 |
| 7’000 | Fr. 0.99253 | Fr. 6’947.71 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.17890 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.27439 |


