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Equivalente parametrico


Infineon Technologies
In magazzino: 1’917
Prezzo unitario : Fr. 3.60000
Scheda tecnica
Canale N 100 V 70 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
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IPB70N10S312ATMA2

Codice DigiKey
448-IPB70N10S312ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IPB70N10S312ATMA2
Descrizione
MOSFET_(75V 120V(
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 70 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPB70N10S312ATMA2 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
66 nC @ 10 V
Produttore
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4355 pF @ 25 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Grado
Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Qualifica
AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3-2
RDSon (max) a Id, Vgs
11,6mohm a 70A, 10V
Contenitore/involucro
Vgs(th) max a Id
4V a 83µA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IPB70N10S312ATMA1Infineon Technologies1’917IPB70N10S312ATMA1CT-NDFr. 3.60000Equivalente parametrico
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 1.17890Fr. 1’178.90
2’000Fr. 1.10189Fr. 2’203.78
3’000Fr. 1.06265Fr. 3’187.95
5’000Fr. 1.01860Fr. 5’093.00
7’000Fr. 0.99253Fr. 6’947.71
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.17890
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.27439